zeeman效应对载流子迁移的影响

主要是掺入的杂质种类和数量、以及工作温度，从而影响到载流子浓度和迁移率，结果使得半导体的电导率发生变化。 迁移率是指载流子在单位电场作用下的平均漂移速度，即载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度，运动得越快，迁移率越大；运动得慢，迁移率小。同一种半导体材料中，载流子类型不同，迁移率不同，一般是电子的迁移率高于hole。

如室温下，低掺杂硅材料中，电子的迁移率为1350cm^2/（VS），而hole的迁移率仅为480cm^2/(VS)。