pn结电场随距离变化的曲线显示了从pn结界面到外部电场的分布情况。
pn结是由p型半导体和n型半导体形成的界面，当两者接触时，由于载流子浓度的不匹配，会在交界处形成内建电场。这个内建电场是由于p区中的空穴和n区中的电子在界面处重新组合而产生的。以下是对pn结电场随距离变化的曲线的详细描述：
1. 界面处：在pn结的界面处，由于电子和空穴的耗尽，形成一个约0.3V到0.7V的势垒，这导致了一个较强的内建电场。这个电场是垂直于界面的，其方向从n区指向p区。
2. 耗尽区：随着距离pn结界面的增加，电场强度逐渐减弱。在耗尽区内部，由于电离施主和受主离子的移动，形成了电场。耗尽区的宽度通常在几个微米到几十个微米之间，具体取决于半导体材料和温度。
3. 外电场区域：在耗尽区之外，如果存在外部电场，它将与内建电场叠加。外部电场可以是正向偏置（p区接正极，n区接负极）或反向偏置（n区接正极，p区接负极）。在正向偏置下，外部电场会减弱内建电场，使得耗尽区变窄；而在反向偏置下，外部电场会增强内建电场，耗尽区变宽。
4. 外电场下的电场分布：当pn结处于反向偏置时，电场分布可以进一步细化。在耗尽区之外，靠近p区的一侧由于外部电场的作用，电场强度逐渐减弱；而在靠近n区的一侧，电场强度逐渐增强。
总之，pn结电场随距离变化的曲线展示了从界面到外部电场的复杂电场分布，这对于理解pn结的电气特性和应用至关重要。
1.pn结的电场分布对于pn结的二极管、晶体管等电子器件的性能有着直接的影响。
2.通过改变pn结的外部偏置，可以调节电场的分布，从而控制器件的工作状态。
3.在半导体物理学中，研究pn结电场分布有助于深入理解半导体器件的物理机制。
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