当PN结正向偏置时，截止区宽度会发生变化。
PN结是半导体器件的核心部分，它的特性直接影响了器件的性能。当PN结正向偏置时，即P型半导体的正极连接电源的正极，N型半导体的负极连接电源的负极，此时，电子和空穴将从低电位向高电位移动，使得PN结的耗尽层变窄。因此，PN结的截止区宽度会随着正向偏置电压的增加而减小。
1.截止区宽度的变化与载流子的扩散和漂移有关。在正向偏置电压的作用下，扩散电流大于漂移电流，使得截止区宽度减小。
2.PN结正向偏置时，截止区宽度的变化也与温度有关。温度升高会增加载流子的热运动，使得截止区宽度进一步减小。
3.截止区宽度的变化影响了PN结的击穿电压。当截止区宽度减小到一定程度时，PN结会发生击穿，导致电流急剧增加。
综上所述，PN结正向偏置时，截止区宽度会减小，这主要与载流子的扩散和漂移、温度以及击穿电压等因素有关。理解这一现象有助于我们更好地设计和使用半导体器件。
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