磁场屏蔽主要通过材料选择、结构设计和接地技术实现，具体方法如下：
高磁导率材料
低频磁场 ：使用铁氧体、坡莫合金、硅钢片等高磁导率材料，通过磁通分路减少外部磁场影响。
高频磁场 ：采用低电阻率良导体（如铜、铜镀银），利用涡流反磁场抵消干扰磁场。
磁导率与磁阻
磁导率越高，磁阻越小，磁通越易通过屏蔽材料，屏蔽效果越好。高频屏蔽需避免材料磁饱和，选择饱和特性好的材料。
低频磁场屏蔽
采用单层高磁导率屏蔽体，厚度需足够（通常数毫米），确保磁通大部分通过屏蔽材料。
可使用组合屏蔽结构（内外层屏蔽体加气隙），气隙中填充非导磁材料（如铝），显著增强屏蔽效率。
高频磁场屏蔽
屏蔽体需薄（通常1-2毫米），减少涡流损耗。
采用多层金属网或金属板结构，避免垂直于涡流方向的缝隙。
高频屏蔽 ：需多点接地形成等电位体，降低接地阻抗，同时实现电场和磁场双重屏蔽。
低频屏蔽 ：单点接地即可满足需求，但需确保屏蔽体与地电位一致。
距离优化 ：增加屏蔽体与干扰源的距离，减少磁通耦合。
布线设计 ：采用直角布线、双绞线或屏蔽线，降低互感。
通过以上方法，可有效屏蔽低频和高频磁场干扰，满足不同应用场景的需求。
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