三极管的测量方法可分为基极判断、类型识别及性能检测三个步骤,具体操作如下:
测量步骤
任取两根电极(如1、2),用万用表R×100/R×1k挡测量正反向电阻,记录两次测量结果。
再取1、3和2、3两对电极重复上述测量。
在三次测量中,必然有两次电阻值相近(偏转角度一致),另一次偏转角度小。偏转小的那次未测的电极即为基极。
NPN型判断
确定基极后,用黑表笔接基极,红表笔分别接集电极和发射极。若两次电阻值均较小(约几百欧),则为NPN型。
PNP型判断
黑表笔接基极,红表笔接集电极和发射极。若两次电阻值均较大(约几千欧),则为PNP型。
直流参数测量
基极-发射极电压(VBE) :二极管档位下,红表笔接基极,黑表笔接发射极,正常值约0.6V(硅)或0.2V(锗)。
饱和区电流放大倍数(hFE) :电流档位下,黑表笔接发射极,红表笔接集电极,测量IB/IC比值(正常范围因型号而异)。
集电极-发射极电压(VCE) :电压档位下,红表笔接集电极,黑表笔接发射极,正常值约0.2V至0.3V(硅)。
交流参数测量
通过信号发生器输入交流信号,测量输出幅度变化,评估放大性能(正常三极管在特定频率范围内线性放大)。
测量前需确认三极管封装类型(直插或贴片),不同封装引脚定义可能不同。
若表针偏转异常(如过大或过小),可能表明三极管损坏。