常温和低温下单晶体塑性变形的主要方式是位错运动。
在常温和低温条件下，单晶体的塑性变形主要通过位错运动来实现。位错是晶体中的一种缺陷，它使得晶体结构发生局部畸变。位错运动包括位错滑移和位错攀移两种主要形式。
1. 位错滑移：这是单晶体塑性变形中最常见的一种形式。在滑移过程中，位错线沿一定的滑移面和滑移方向移动，从而实现晶体结构的塑性变形。滑移面和滑移方向的选择与晶体结构有关，对于面心立方晶系，滑移面通常是{111}面，滑移方向通常是<110>方向。
2. 位错攀移：位错攀移是指位错线在垂直于滑移面的方向上移动，从而实现晶体结构的塑性变形。攀移通常发生在滑移面附近，与滑移面形成一定的夹角。
在低温条件下，位错运动受到一定的限制，因为低温会使得原子振动减弱，从而使得位错运动所需的外力增大。在这种情况下，位错运动主要以攀移为主，因为攀移所需的外力相对较小。
1. 位错理论：位错理论是描述晶体塑性变形的重要理论之一，它认为晶体塑性变形是由位错运动引起的。
2. 位错密度：位错密度是衡量晶体塑性变形能力的重要指标，位错密度越高，晶体塑性变形能力越强。
3. 位错交互作用：位错在运动过程中会与其他位错发生交互作用，如交滑移、缠结等，这些交互作用会进一步影响位错的运动和晶体结构的塑性变形。
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