MO源（金属有机化合物）是金属有机化学气相沉积（MOCVD）等外延技术中的关键支撑材料，主要用于半导体材料的生长。根据应用领域和化学成分，MO源可分为以下几类：
金属氧化物MO源
通过金属源与氧气、水蒸气等反应生成氧化物，例如三甲基铝（Al（CH₃）₃）与水蒸气反应生成氧化铝（Al₂O₃）薄膜，是LED等领域的核心材料。
金属氮化物MO源
以金属盐类为原料，通过气相反应生成氮化物薄膜，如三乙基镓（Ga（CH₃）₃）用于氮化镓（GaN）基半导体材料。
金属薄膜MO源
包括金属盐类直接沉积形成的薄膜，例如三甲基铟（In（CH₃）₃）用于高迁移率晶体管和激光器。
三甲基铝（Al（CH₃）₃） ：最常用的MO源之一，纯度达99.9998%以上，用于LED外延片和激光器。
三乙基镓（Ga（CH₃）₃） ：用于氮化镓基半导体材料，具有高电子迁移率。
三甲基铟（In（CH₃）₃） ：与三甲基铝类似，但纯度要求更高，用于高精度光电器件。
其他典型品种 ：三乙基锑（Sb（CH₃）₃）、三乙基铋（Bi（CH₃）₃）等，用于特殊半导体材料。
LED ：90%以上的Ⅲ-Ⅴ族MO源用于外延片生长，是产业链技术难度最高、附加值最高的环节。
太阳能电池 ：用于非晶硅薄膜太阳能电池和砷化镓基电池。
射频集成电路（RFIC） ：用于高频信号传输特性材料。
航空航天 ：用于高温、高辐射环境下的电子器件。
纯度 ：需达到99.9998%以上，部分高端产品可达99.9999%。
稳定性 ：常温下为液态，需长期储存且化学性质稳定。
安全性 ：毒性大，需在无氧、真空环境中操作。
全球MO源市场由少数企业主导，中国南大光电等企业占据重要份额，四家跨国公司（陶氏、默克、阿克苏诺贝尔、南大光电）合计市场份额超95%。
以上分类及品种综合了多个权威来源，涵盖MO源的核心定义、主要类型、应用及技术要点。
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