MO源（金属有机源）是金属有机化学气相沉积（MOCVD）等外延技术中的关键支撑材料，其组成因具体工艺和应用领域不同而有所差异。以下是主要类型及常见气体组成：
Ⅱ族金属有机源
以钛（Ti）、铝（Al）等为主，常用TMGa（四甲基镓）、DMCd（二甲基镉）等化合物。
Ⅲ族金属有机源
主要为镓（Ga）、铟（In）等，例如GaCl₃、InCl₃。
Ⅴ/Ⅵ族金属有机源
包括氮化物（如NH₃）、砷化物（如AsH₃）、磷化物（如PPh₃）等。
氮化物类 ：
TMGa（四甲基镓）在MOCVD中与氨气反应生成氮化镓（GaN）薄膜；
InCl₃与氢气反应生成氮化铟（GaN）。
砷化物类 ：
AsH₃是制备砷化镓（GaAs）的主要前驱体；
磷化氢（PH₃）用于生长磷化铟（InP）。
其他类型 ：
硅烷（SiH₄）用于硅基材料生长；
氯化物（如AlCl₃、GaCl₃）作为反应介质。
高纯度要求 ：MO源需达到99.999%以上纯度，对氧气、水汽敏感，需真空环境储存；
应用领域 ：
LED、激光器、太阳能电池等半导体器件；
红外探测、射频集成电路等高端领域。
以上气体需在严格控制的反应条件下使用，以确保材料纯度和设备安全。
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